MJB45H11G双极晶体管，又称双极结型晶体管（BJT），是一种常见的半导体器件，广泛应用于电子电路中。它由三个区域组成：发射区、基区和集电区。发射区和集电区是P型半导体，而基区是N型半导体。这种结构使得双极晶体管具有放大电流和控制电流的功能，因此在放大、开关和稳压电路中得到了广泛的应用。
MJB45H11G双极晶体管具有高频率、低噪声和高放大倍数等特点，使其成为许多电子设备中不可或缺的元件。在放大电路中，它可以将微弱的信号放大成为可观测的电压或电流，从而实现音频放大、射频放大等功能。在开关电路中，双极晶体管可以控制电流的通断，实现数字信号的处理和控制。在稳压电路中，它可以通过负反馈实现电压的稳定输出，保护后级电路不受电压波动的影响。
除了以上应用，MJB45H11G双极晶体管还可以用于振荡器、多谐振荡器、电压比较器等电路中。它的稳定性和可靠性使得它成为电子工程师们设计电路时的首选元件之一。
总之，MJB45H11G双极晶体管作为一种重要的半导体器件，在电子电路中发挥着重要的作用。它的特性使得它适用于各种不同的电路结构，为现代电子设备的发展提供了有力支持。
安装风格: SMD/SMT
封装 / 箱体: D2PAK
晶体管极性: PNP
配置: Single
集电极—发射极最大电压 VCEO: 80 V
集电极—基极电压 VCBO: -
发射极 - 基极电压 VEBO: 5 V
集电极—射极饱和电压: 1 V
最大直流电集电极电流: 10 A
Pd-功率耗散: 2 W
增益带宽产品fT: 40 MHz
最小工作温度: - 55 C
最大工作温度: + 150 C
